集成电路先导工艺技术系列讲座圆满落幕

  • 供稿:杨雪琴 摄影:侯茂菁 王华强 赵梓旭
  • 日期:2019-03-21
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      在集成电路先导工艺技术系列讲座中我们有幸邀请到微电子所殷华湘研究员、蔡小五研究员和罗军研究员分别从“集成电路工艺中的新器件——从FinFET到Beyond Moore器件”、“智能功率集成BCD先进工艺技术”、“集成电路工艺中的先进源漏接触”三个主题来探讨先导工艺技术。

      3月12号下午6.30,殷华湘老师由浅入深,向同学们讲述集成电路工艺进化过程中的核心逻辑器件技术,阐述包括CMOS晶体管的尺寸微缩限制原理及新技术的突破方向。最后在此基础上重点介绍各类新器件的结构、工艺、材料以及工作机制的最新发展和变化,给同学们提供更多的角度思考。

      3月13号下午6.30,蔡小五老师为同学们带来智能功率集成BCD相关工艺技术的讲座,老师先介绍了功率集成电路和BCD制造工艺,功率集成电路(Power Integrated Circuit)作为电力电子技术和微电子技术相结合的产物,被广泛运用于电力电子、通信与网络、计算机与消费电子、工业与汽车电子等诸多应用领域。BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)是一项重要的功率集成电路制造工艺技术, 每种BCD工艺都具备在同一颗芯片上成功整合三种不同制造技术的优点,包括用于高精度处理模拟信号的Bipolar双极晶体管,用于设计数字控制电路的CMOS和用于开发电源和高压开关器件的DMOS。然后在此基础上介绍功率集成电路的BCD工艺为主线,结合已有的研究基础分别从功率器件原理、功率集成电路工艺、电路设计和版图绘制等方面来阐述功率集成电路的理论。

      3月14号下午6.30,罗军老师以“集成电路工艺中的先进源漏接触”为主题,介绍了集成电路工艺中的先进源漏接触工艺,包括源漏硅化物在器件微缩过程中起的重要作用,硅化物随着CMOS技术代升级的演变过程,重点介绍各类硅化物材料、电学特性、工艺以及如何降低硅化物与半导体接触的电阻。同时,还讲述了3D FinFET器件中的先进源漏接触工艺以及未来发展趋势。

      本次系列讲座受到了广大同学的欢迎与喜爱,基础知识与深入研究并重,从多角度,多方面让大家认识了解集成电路先导工艺中的相关知识与前瞻性问题。希望本次系列讲座可以激发大家对先导工艺相关问题的兴趣,并在该领域有所贡献。