近日，由中国科学院大学集成电路学院计算光刻与工艺仿真课题组申报的“基于模型的光学邻近效应修正应用于先进芯片量产”项目荣获2023年度“中国光学学会科技创新奖”科技进步奖一等奖。该项目主要依托于国家重大科技专项等任务，韦亚一教授是第一完成人。
随着光刻工艺技术的不断发展，掩模版上最小线宽的特征尺寸不断缩小，光学邻近效应导致的曝光图案模糊或失真现象愈发严重，极大地降低了曝光后的良率。因此，如何突破技术封锁的限制，自主研发满足产业界需求的高效、精准的光学邻近效应修正方法成为了计算光刻领域亟待解决的关键问题之一。
十余年来，韦亚一教授领导的计算光刻与工艺仿真研发团队在全套引进、消化、吸收国际主流计算光刻相关技术及软件的基础上，对计算光刻中的光学邻近效应修正的关键技术进行了持续攻关，先后攻克了光刻衍射成像模型，光刻胶曝光显影模型，晶圆图像粗糙度定量表征，设计制造协同优化流程，成功实现全流程光学临近效应修正技术，并实现了光刻光学临近效应修正技术在国内产业界的应用，在工程实践中提出了光学临近效应与工程应用结合的多种方法，分别适用于逻辑芯片、三维存储芯片、和FD SOI芯片，且晶圆验证结果表明对光刻工艺中的焦深（DOF）、掩模误差增强因子（MEEF）、曝光容忍度（EL）、归一化成像光强对数斜率（NILS）等关键技术指标有显著提高，达到国际先进水平。
该项目已成功申请发明专利近百件，发表论文百余篇，不仅在工程技术研究方面取得重要成果，展示了中国在关键领域的自主创新能力。同时，还注重培养高素质的创新型集成电路产业应用型人才，积极助力我国集成电路产业的高质量发展。
2023年度中国光学学会科技创新奖评选结果原文链接如下：
